[发明专利]低温磁瓷共烧复合基材及制备方法无效
| 申请号： | 201210030888.4 | 申请日： | 2012-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN102582143A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 王永明;廖杨;王升;韩志全;冯涛;陈劲松;张菊艳 | 申请（专利权）人： | 西南应用磁学研究所 |
| 主分类号： | B32B9/00 | 分类号： | B32B9/00;C04B35/622 |
| 代理公司： | 深圳市科吉华烽知识产权事务所 44248 | 代理人： | 胡吉科 |
| 地址： | 621000 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及低温磁瓷共烧复合基材和微波领域，特别涉及一种低温磁瓷共烧复合基材，包括介质层，其由介质粉料加入流延载体经制浆流延而成；磁性层，其由铁氧体材料加入流延载体制浆流延而成；以及过渡层，其由介质粉料以及铁氧体材料加入流延载体制浆流延而成；所述介质层、磁性层以及过渡层进行共烧；所述过渡层位于所述介质层和磁性层之间；所述介质层为外层;同时也提供了一种低温磁瓷共烧复合基材的制备方法。本发明的有益效果是：通过采用低温烧结微波铁氧体复合基板的TR组件，重量可减轻50-60%，体积可减小50～70%；有利于组件的低成本、批量化生产；同时提高了产品的稳定性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 磁瓷共烧 复合 基材 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低温磁瓷共烧复合基材，其特征在于：包括介质层，其由介质粉料加入流延载体经制浆流延而成；磁性层，其由铁氧体材料加入流延载体制浆流延而成；以及过渡层，其由介质粉料以及铁氧体材料加入流延载体制浆流延而成；所述介质层、磁性层以及过渡层进行共烧；所述过渡层位于所述介质层和磁性层之间；所述介质层为外层。
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