[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210031567.6 | 申请日： | 2012-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN102637735A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 清水早苗;山田敦史 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;吴鹏章 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种化合物半导体器件及其制造方法，所述化合物半导体器件包括：衬底；形成在衬底上的电子传输层；以及形成在电子传输层上的电子供给层，其中在衬底的表面上以混合方式存在与电子传输层相比具有较小热膨胀系数的一个或更多个第一区域以及与电子传输层相比具有较大热膨胀系数的一个或更多个第二区域。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体器件，包括：衬底；在所述衬底上形成的电子传输层；和在所述电子传输层上形成的电子供给层，其中在所述衬底的表面上以混合方式存在与所述电子传输层相比具有较小热膨胀系数的一个或更多个第一区域以及与所述电子传输层相比具有较大热膨胀系数的一个或更多个第二区域。
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