[发明专利]衬底处理装置、衬底处理方法及半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种衬底处理装置、衬底处理方法及半导体装置的制造方法，衬底处理装置具有以层合的状态收纳多个衬底的处理室、对衬底和处理室内的环境气体进行加热的加热装置、供给热分解的原料气体的第一气体供给装置、供给氧化气体的第二气体供给装置、排出处理室内的环境气体的排出装置、至少对第一、第二气体供给装置及排出装置进行控制的控制部，第一气体供给装置还具有至少一个向处理室导入原料气体的第一导入口，第一导入口避开衬底侧而开口，第二气体供给装置还具有至少一个向处理室导入氧化气体的第二导入口，第二导入口向着衬底侧开口，控制部控制第一、第二气体供给装置及排出装置，以便向处理室交替地供给原料气体和氧化气体并排气，从而在衬底上生成所需要的膜。

主权项

一种衬底处理装置，具有：反应管，形成以层合的状态收纳多个衬底的处理室；向所述处理室内供给原料气体的第一气体供给装置；向所述处理室内供给氧化气体的第二气体供给装置；与所述处理室的下部连通，排出所述处理室内的环境气体的排出装置；以及对所述第一气体供给装置、所述第二气体供给装置以及所述排出装置进行控制的控制部，所述第一气体供给装置具有第一喷嘴，所述第一喷嘴沿着多个所述衬底的层合方向从所述反应管的下部延伸到所述反应管的顶端附近，且在其前端部具有向所述处理室内导入所述原料气体的第一导入口，所述第二气体供给装置具有第二喷嘴，所述第二喷嘴沿着多个所述衬底的层合方向从所述反应管的下部延伸到所述反应管的顶端附近，且具有向多个所述衬底之间开口并向所述处理室内导入所述氧化气体的多个第二导入口，所述控制部控制所述第一气体供给装置、所述第二气体供给装置以及所述排出装置，以便以相互不混合的方式向所述处理室交替地供给所述原料气体和所述氧化气体，从而在所述衬底上生成所需要的膜。