[发明专利]一种永磁与交直流复合的漏磁检测方法有效

专利信息
申请号: 201210032485.3 申请日: 2012-02-14
公开(公告)号: CN102590328A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 吴德会;孙宝康;张海荣;张志杰 申请(专利权)人: 厦门大学
主分类号: G01N27/83 分类号: G01N27/83
代理公司: 厦门南强之路专利事务所 35200 代理人: 马应森
地址: 361005 *** 国省代码: 福建;35
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摘要: 一种永磁与交直流复合的漏磁检测方法,涉及一种管道的漏磁检测方法。磁化器由绕有激励线圈的U型磁芯和永磁铁组成,通过对激励线圈给予不同的激励,让激励线圈、永磁铁分时产生复合的直流磁化场和交变磁化场。测量时,用直流磁化场将待测铁磁体磁化至深度饱和状态,把检测到的漏磁场信号B1与设定的阈值λ1进行比较,来判断待测铁磁体是否存在缺陷;若存在缺陷,再用交变磁化场对待测部件进行磁化,把漏磁场强度的交流频率分量B2与设定的阈值λ2进行比较,来判断缺陷在内表面,还是外表面。有效克服现有技术难于高效、准确识别出内外表面缺陷的缺点,且具有原理简单、操作方便、无需耦合剂、非接触测量等特点。
搜索关键词: 一种 永磁 直流 复合 检测 方法
【主权项】:
一种永磁与交直流复合的漏磁检测方法,其特征在于包括以下步骤:1)将磁化器置于待测铁磁体表面,并按设定的提离值对待测铁磁体进行扫描检测,所述磁化器由绕有激励线圈的U型磁芯和永磁铁组成;2)往激励线圈施加直流激励信号,在永磁铁和激励线圈的共同作用下,将待测铁磁体局部磁化至饱和状态,这时在待测铁磁体内、外表面的缺陷处将产生漏磁场;3)利用检测元件以设定的提离值对步骤2)所述漏磁场进行检测,并将检测到的漏磁场信号B1与设定的阈值λ1进行比较,以判断待测铁磁体是否存在缺陷,若B1<λ1,说明待测铁磁体不存在缺陷,则继续步骤2)的检测;若B1>λ1,说明待测铁磁体存在缺陷,则进行下一步骤的检测;4)退除直流激励信号,往激励线圈施加交流激励信号,这时在永磁铁和激励线圈的共同作用下,磁化器将产生一交变磁化场,在交变磁化场的激励下,待测铁磁体内表面的缺陷处将激发出交变漏磁场,而待测铁磁体外表面的缺陷处的磁场达不到饱和,即不会产生漏磁场;5)用检测元件对步骤4)所述漏磁场进行检测,并对检测到的交变漏磁场信号进行处理,得到漏磁场信号中交流部分频率分量的幅值B2,将B2与设定的阈值λ2进行比较,以判断缺陷在待测铁磁体的内表面还是外表面,若B2<λ2,说明缺陷在待测部件的外表面,则继续重复步骤2)的检测;若B2>λ2,说明缺陷在待测铁磁体的内表面,则继续重复步骤(4)的检测。
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