[发明专利]静电放电保护装置有效
申请号: | 201210032730.0 | 申请日: | 2012-02-14 |
公开(公告)号: | CN103247616B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 王畅资;唐天浩;苏冠丞 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种静电放电保护装置,其包括基材;第一阱区,位于基材中,具有第一电性。第一掺杂区具有第一电性,位于第一阱区之中;第二掺杂区具有第二电性,位于第一阱区之中;以及外延层,位于基材中,具有彼此分隔的第三掺杂区和第四掺杂区。第三掺杂区具有第一电性,第四掺杂区具有第二电性。第一掺杂区、第一阱区和第三掺杂区之间,具有第一双极晶体管等效电路;第二掺杂区、第一阱区和第四掺杂区之间,具有第二双极晶体管等效电路,且第一双极晶体管等效电路和第二双极晶体管等效电路,具有相异的多数载流子。 | ||
搜索关键词: | 静电 放电 保护装置 | ||
【主权项】:
一种静电放电保护装置,其包括:基材;第一阱区,位于该基材中,具有第一电性;第一掺杂区,具有该第一电性,位于该第一阱区之中;第二掺杂区,具有第二电性,位于该第一阱区之中;以及外延层,位于该基材中,具有第三掺杂区和第四掺杂区,其中该第三掺杂区具有该第一电性,该第四掺杂区具有该第二电性,且该第三掺杂区和该第四掺杂区位于该第一阱区并被具有该第二电性的第一分隔区分隔;其中,该第一掺杂区、该第一阱区、该第一分隔区和第三掺杂区之间具有第一双极晶体管等效电路,该第二掺杂区、该第一阱区、该第一分隔区和该第四掺杂区之间具有第二双极晶体管等效电路,且该第一双极晶体管等效电路和第二双极晶体管等效电路,具有相异的多数载流子(majority carrier)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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