[发明专利]一种基于深刻蚀槽的多段式FP腔单波长激光器有效
| 申请号： | 201210033084.X | 申请日： | 2012-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN102545045A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 王磊;王寅;杨友光;何建军 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01S5/125 | 分类号： | H01S5/125;H01S5/34 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 周烽 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于深刻蚀槽的多段式FP腔单波长激光器，其结构至少包括激光器波导、分别位于其两端的第一深刻蚀反射面、第二深刻蚀反射面和分布于其间的深刻蚀槽阵列；深刻蚀槽阵列由2-6个深刻蚀槽组成。激光器制作在半导体外延片上，从下往上分别包括下包层，量子阱层和上包层以及以上所述各层之间的一些辅助层；激光器波导被深刻蚀槽阵列、第一深刻蚀反射面和第二深刻蚀反射面分割成数段独立的波导，每段波导上覆盖有电极，电极上分别注入电流实现对激光器波长和功率的控制；本发明与背景技术相比，仅需要一次外延生长使得生产工序更加简单便宜，制作误差更小；器件运行所需能量损耗更少；激光线宽窄。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 深刻 段式 fp 波长 激光器 | ||
【主权项】：
一种基于深刻蚀槽的多段式FP腔单波长激光器，其特征在于，它包括激光器波导（11），分别位于其两端的第一深刻蚀反射面（21）、第二深刻蚀反射面（22），和分布于其间的深刻蚀槽阵列（31）等，所述深刻蚀槽阵列（31）由2‑6个深刻蚀槽组成；所述激光器制作在半导体外延片上，从下往上分别包括下包层（4），量子阱层（5）和上包层（6）以及以上所述各层之间的一些辅助层（7）；所述深刻蚀槽阵列（31）中的所有深刻蚀槽、第一深刻蚀反射面（21）和第二深刻蚀反射面（22）的刻蚀深度超过量子阱层（5），上包层（6）上覆盖有电极（115）。
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