[发明专利]用于原子层沉积的涡流室盖有效
申请号: | 201210033172.X | 申请日: | 2007-10-24 |
公开(公告)号: | CN102586760A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 吴典晔;庞尼特·巴贾;袁晓雄;史蒂文·H·金;舒伯特·S·楚;保罗·F·马;约瑟夫·F·奥布赫恩 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/44 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;钟强 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种用于原子层沉积的涡流室盖。本发明的实施方式是关于在原子层沉积工艺期间沉积材料至衬底上的设备和方法。在一实施方式中,提供用于处理衬底的处理室,其包括含有置中设置的气体分配道的室盖组件,其中气体分配道的汇流部往气体分配道的中心轴逐渐变细,气体分配道的分流部则背离中心轴逐渐变细。室盖组件还包含从气体分配道的分流部延伸至室盖组件的周围部分的锥形底面,其中锥形底面经构形及调整大小以基本上覆盖住衬底,且二导管耦接至气体分配道的汇流部的气体入口并设置以提供遍及气体分配道的环形气流。 | ||
搜索关键词: | 用于 原子 沉积 涡流 | ||
【主权项】:
一种用于原子层沉积的腔室,所述腔室包括:衬底支撑件,所述衬底支撑件包括衬底承接面;以及室盖组件,所述室盖组件包括:扩大通道,沿着中心轴延伸并位于所述室盖组件的中间部分;锥形底面,从所述扩大通道延伸至所述室盖组件的周围部分,其中所述锥形底面经构形及调整大小以基本上覆盖住所述衬底承接面;第一导管,耦接至第一气体通路,其中所述第一气体通路环绕所述扩大通道且包括延伸入所述扩大通道的多个第一入口;以及第二导管,耦接至第二气体通路,其中所述第二气体通路环绕所述扩大通道且包括延伸入所述扩大通道的多个第二入口,并且所述多个第一入口和所述多个第二入口设置以提供遍及所述扩大通道的环形气流图案。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的