[发明专利]在自然氧化的Si衬底上生长InAs纳米线的方法无效
| 申请号： | 201210033519.0 | 申请日： | 2012-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN102569034A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 赵建华;王思亮;俞学哲;王海龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种在自然氧化的Si衬底上生长InAs纳米线的方法，包括如下步骤在于：步骤1：将自然氧化的衬底放在分子束外延设备样品架上，将衬底升温；步骤2：当衬底升至预定温度后，再将衬底温度降温；步骤3：待衬底温度稳定后，打开In挡板，在衬底上沉积In层；步骤4：关闭In挡板，弛豫一段时间，使沉积的In层在衬底上不均匀的氧化层开口处形成In液滴；步骤5：然后同时打开In和As挡板，在沉积的In层上生长InAs纳米线；步骤6：生长结束后，先关In挡板，再对衬底降温，待衬底温度降至450℃以下再关As挡板，完成InAs纳米线的制备。通过以上方法其可不用对自然氧化的Si衬底进行处理，也不用外加催化剂，即可在Si衬底上生长InAs纳米线。 | ||
| 搜索关键词： | 自然 氧化 si 衬底 生长 inas 纳米 方法 | ||
【主权项】：
一种在自然氧化的Si衬底上生长InAs纳米线的方法，包括如下步骤在于：步骤1：将自然氧化的衬底放在分子束外延设备样品架上，将衬底升温；步骤2：当衬底升至预定温度后，再将衬底温度降温；步骤3：待衬底温度稳定后，打开In挡板，在衬底上沉积In层；步骤4：关闭In挡板，弛豫一段时间，使沉积的In层在衬底上不均匀的氧化层开口处形成In液滴；步骤5：然后同时打开In和As挡板，在沉积的In层上生长InAs纳米线；步骤6：生长结束后，先关In挡板，再对衬底降温，待衬底温度降至450℃以下再关As挡板，完成InAs纳米线的制备。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
