[发明专利]包括电容器和金属接触的半导体装置及其制造方法

摘要

本发明的实施例提供了一种包括电容器和金属接触的半导体装置及其制造方法。该方法包括：在单元区和外围区上或中形成第一模层，形成穿透单元区中的第一模层的第一存储节点和穿透外围区中的第一模层的第一接触，在第一模层上形成第二模层，形成穿透第二模层以连接至第一存储节点的相应存储节点的第二存储节点，除去单元区和外围区中的第二模层以及单元区中的第一模层，以留下外围区中的第一模层，以及形成穿透第一层间绝缘层以连接至第一接触的第二接触。还提供了相关的装置。

主权项

一种半导体装置的制造方法，该方法包括：在单元区和外围区中形成第一模层；形成穿透所述单元区中的第一模层的第一存储节点和穿透所述外围区中的第一模层的第一接触；在所述第一模层上形成第二模层；形成穿透所述第二模层以连接至所述第一存储节点的相应存储节点的第二存储节点；除去所述单元区和所述外围区中的第二模层以及所述单元区中的第一模层，以留下所述外围区中的第一模层；以及形成穿透第一层间绝缘层以连接至所述第一接触的第二接触。