[发明专利]沟槽肖特基势垒二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 201210034112.X | 申请日： | 2012-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN103258861A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 黄宗义;黄建豪 | 申请（专利权）人： | 立锜科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈肖梅;谢丽娜 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出一种沟槽肖特基势垒二极管(Schottky barrier diode，SBD)及其制造方法，沟槽SBD形成于第一导电型基板中。沟槽SBD包含：第二导电型外延层，形成于基板上；多个平台，由外延层上表面向下蚀刻多个沟槽所定义；场极板，形成于外延层上，并填充于多个沟槽中，且场极板与该多个平台的顶部间，形成肖特基接触；终止区，形成于多个平台的边缘外侧，与场极板电连接；场绝缘层，形成于外延层上表面上，位于终止区外侧；以及至少一缓和极板，形成于终止区外侧的外延层上表面下，并穿越过场绝缘层与场极板电连接，且缓和极板与终止区之间，由介电层与部分外延层隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 肖特基势垒二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽肖特基势垒二极管形成于一第一导电型基板中，其特征在于，包含：一第二导电型外延层，形成于该基板上；多个平台，由该外延层一上表面向下蚀刻多个沟槽所定义，且该多个平台共同连接于该外延层；一场极板，形成于该外延层上，并填充于该多个沟槽中，其中，该场极板与该多个平台的侧壁与底部间，由一介电层隔开，而该场极板与该多个平台的顶部间，形成肖特基接触；一终止区，形成于该多个平台的一边缘外侧的该外延层上表面下，与该场极板电连接，且该终止区与该边缘及该外延层间，由该介电层隔开；一场绝缘层，形成于该外延层上表面上，位于该终止区外侧；以及至少一缓和极板，形成于该终止区外侧的该外延层上表面下，并穿越过该场绝缘层与该场极板电连接，且该缓和极板与该终止区之间，由该介电层与部分该外延层隔开。
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