[发明专利]具有分开的吸收和倍增区域的锗/硅雪崩光电检测器无效
申请号: | 201210034390.5 | 申请日: | 2006-06-28 |
公开(公告)号: | CN102593202A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | M·摩斯;O·多森姆;M·潘尼卡;A·刘 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L31/028 | 分类号: | H01L31/028;H01L31/107 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陈炜 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开了基于半导体波导的光接收机,尤其公开了具有分开的吸收和倍增区域的锗/硅雪崩光电检测器。根据本发明方案的装置包括包含紧邻第二类型半导体区的第一类型半导体区的吸收区。第一类型半导体吸收在第一波长范围中的光,第二类型半导体吸收在第二波长范围中的光。限定倍增区以紧邻吸收区并与吸收区分开。倍增区包括存在电场的本征半导体区,以倍增在吸收区中产生的电子。 | ||
搜索关键词: | 具有 分开 吸收 倍增 区域 雪崩 光电 检测器 | ||
【主权项】:
一种用于光学设备的装置,包括:包括紧邻第二类型半导体材料的第一类型半导体材料的吸收区;倍增区,所述倍增区包括其中电场倍增在所述吸收区中产生的电子的区域;以及将所述吸收区与所述倍增区分离的部分分离区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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