[发明专利]半导体装置无效
申请号: | 201210034408.1 | 申请日: | 2012-02-15 |
公开(公告)号: | CN102647075A | 公开(公告)日: | 2012-08-22 |
发明(设计)人: | 泷本和靖;饼川宏;中泽洋介;葛卷淳彦 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H02M1/088 | 分类号: | H02M1/088;H02M7/5387 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种半导体装置(D),包括半导体电路(22)和电源(9)。上述半导体电路(22)具备:主元件(3),具有开关元件(1)及反向并联二极管(2);反向电压施加电路(7),具有高速回流二极管(4)、电容器(6)和辅助元件(5);主元件驱动电路(13);以及辅助元件驱动电路(14)。上述电源(9)并联连接在上述电容器(6)上,并连接在上述主元件驱动电路(13)及辅助元件驱动电路(14)上,对上述电容器(6)、主元件驱动电路(13)及辅助元件驱动电路(14)供给电力,电压值比上述主元件(3)的耐受电压低。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于,具备:半导体电路;和电源;上述半导体电路具备:主元件,具有电压驱动型的开关元件及与上述开关元件反向并联连接的反向并联二极管;反向电压施加电路,该反向电压施加电路具有高速回流二极管、电容器和辅助元件,该高速回流二极管的反向恢复时间比上述反向并联二极管短、反向恢复电荷比上述反向并联二极管小,该辅助元件连接在上述电容器及高速回流二极管间、在上述反向并联二极管的反向恢复时开启、耐受电压比上述主元件低,上述反向电压施加电路对上述反向并联二极管施加比上述主元件的耐受电压小的反向电压;主元件驱动电路,对上述主元件赋予控制信号;和辅助元件驱动电路,对上述辅助元件赋予控制信号,上述电源与上述电容器并联连接,并与上述主元件驱动电路及辅助元件驱动电路连接,对上述电容器、主元件驱动电路及辅助元件驱动电路供给电力,电压值比上述主元件的耐受电压低。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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