[发明专利]半导体装置无效

专利信息
申请号: 201210034408.1 申请日: 2012-02-15
公开(公告)号: CN102647075A 公开(公告)日: 2012-08-22
发明(设计)人: 泷本和靖;饼川宏;中泽洋介;葛卷淳彦 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H02M1/088 分类号: H02M1/088;H02M7/5387
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 徐殿军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种半导体装置(D),包括半导体电路(22)和电源(9)。上述半导体电路(22)具备:主元件(3),具有开关元件(1)及反向并联二极管(2);反向电压施加电路(7),具有高速回流二极管(4)、电容器(6)和辅助元件(5);主元件驱动电路(13);以及辅助元件驱动电路(14)。上述电源(9)并联连接在上述电容器(6)上,并连接在上述主元件驱动电路(13)及辅助元件驱动电路(14)上,对上述电容器(6)、主元件驱动电路(13)及辅助元件驱动电路(14)供给电力,电压值比上述主元件(3)的耐受电压低。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于,具备:半导体电路;和电源;上述半导体电路具备:主元件,具有电压驱动型的开关元件及与上述开关元件反向并联连接的反向并联二极管;反向电压施加电路,该反向电压施加电路具有高速回流二极管、电容器和辅助元件,该高速回流二极管的反向恢复时间比上述反向并联二极管短、反向恢复电荷比上述反向并联二极管小,该辅助元件连接在上述电容器及高速回流二极管间、在上述反向并联二极管的反向恢复时开启、耐受电压比上述主元件低,上述反向电压施加电路对上述反向并联二极管施加比上述主元件的耐受电压小的反向电压;主元件驱动电路,对上述主元件赋予控制信号;和辅助元件驱动电路,对上述辅助元件赋予控制信号,上述电源与上述电容器并联连接,并与上述主元件驱动电路及辅助元件驱动电路连接,对上述电容器、主元件驱动电路及辅助元件驱动电路供给电力,电压值比上述主元件的耐受电压低。
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