[发明专利]半导体装置、用于制造半导体装置的方法以及电子器件有效
| 申请号： | 201210034475.3 | 申请日： | 2012-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN102651352A | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | 谷元昭;冈本圭史郎 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/367;H01L23/48;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;王春伟 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置、用于制造半导体装置的方法以及电子器件，所述半导体装置包括：包括第一电极的半导体器件；包括第二电极和凹部的衬底；和散热粘合材料，该散热粘合材料将半导体器件固定在凹部中，以将第一电极布置为靠近第二电极，其中第一电极耦接到第二电极，并且散热粘合材料覆盖半导体器件的底表面和侧表面的至少一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 用于 制造 方法 以及 电子器件 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：包括第一电极的半导体器件；包括第二电极和凹部的衬底；和散热粘合材料，所述散热粘合材料将所述半导体器件固定在所述凹部中，以将所述第一电极布置为靠近所述第二电极，其中所述第一电极耦接到所述第二电极，并且所述散热粘合材料覆盖所述半导体器件的侧表面的至少一部分和底表面。
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