[发明专利]成像元件及其制造方法、像素设计方法和电子设备有效
申请号: | 201210035073.5 | 申请日: | 2012-02-16 |
公开(公告)号: | CN102646689A | 公开(公告)日: | 2012-08-22 |
发明(设计)人: | 久保井信行 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 郭定辉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供了成像元件及其制造方法、像素设计方法和电子设备。该成像元件包括:多个像素,以二维排列,并且每个像素都具有包括光电转换元件的光接收部分和采集向着光接收部分的入射光的光采集部分。多个像素中的每个光采集部分都包括在表面上具有取决于像素位置的凸凹结构的光功能层。 | ||
搜索关键词: | 成像 元件 及其 制造 方法 像素 设计 电子设备 | ||
【主权项】:
一种成像元件,包括:多个像素,配置为二维排列,并且每个像素具有:光接收部分,包括光电转换元件,以及光采集部分,采集向着所述光接收部分的入射光,所述多个像素中的每个光采集部分都包括在表面上具有取决于像素位置的特定凸凹结构的光功能层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的