[发明专利]具有水平准同轴电缆结构的隧穿晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201210035540.4 | 申请日： | 2012-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN102544069A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 崔宁;梁仁荣;王敬;许军 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/739;H01L21/28;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有水平准同轴电缆结构的隧穿晶体管及其形成方法，该隧穿晶体管包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底上的源区或漏区，其中，所述源区或漏区具有第一掺杂类型，所述半导体衬底上未形成所述源区或漏区的区域形成有绝缘层；半导体体区，所述半导体体区的第一部分包覆所述源区或漏区的第一部分表面形成沟道区，所述半导体体区的第二部分位于所述绝缘层上且具有第二掺杂类型，所述半导体体区的第二部分为漏区或源区；形成在所述沟道区上的栅结构，所述栅结构包覆所述沟道区。根据本发明实施例的隧穿晶体管可以改善TFET器件的驱动能力。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 水平 同轴电缆 结构 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种具有水平准同轴电缆结构的隧穿晶体管，其特征在于，包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底上的源区或漏区，其中，所述源区或漏区具有第一掺杂类型，所述半导体衬底上未形成所述源区或漏区的区域形成有绝缘层；半导体体区，所述半导体体区的第一部分包覆所述源区或漏区的第一部分表面形成沟道区，所述半导体体区的第二部分位于所述绝缘层上且具有第二掺杂类型，所述半导体体区的第二部分为漏区或源区；形成在所述沟道区上的栅结构，所述栅结构包覆所述沟道区。
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