[发明专利]一种半导体器件有效
| 申请号： | 201210035696.2 | 申请日： | 2012-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN103258812A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 甘正浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件。本发明提供一种具有测试元件的衬垫下器件，包括：衬垫和位于所述衬垫下方的半导体器件，其特征在于，所述测试元件由四块多晶硅电阻构成，其中：两块电阻值相同的第一多晶硅电阻和第四多晶硅电阻位于所述衬垫下方所覆盖范围之内，另两块电阻值相同的第二多晶硅电阻和第三多晶硅电阻位于所述衬垫下方所覆盖范围之外；所述四块多晶硅电阻构成一具有两个支路的并联电路；所述并联电路的第一支路由所述第一多晶硅电阻和第二多晶硅电阻依次串联构成；所述并联电路的第二支路由所述第三多晶硅电阻和第四多晶硅电阻依次串联构成。根据本发明，通过所述衬垫下器件中的测试元件测量得到的电阻偏离值的大小可以精确地表征作用于所述衬垫下器件的应力的大小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种具有测试元件的衬垫下器件，包括衬垫和位于所述衬垫下方的半导体器件，其特征在于，所述测试元件由四块多晶硅电阻构成，其中：两块电阻值相同的第一多晶硅电阻和第四多晶硅电阻位于所述衬垫下方所覆盖范围之内，另两块电阻值相同的第二多晶硅电阻和第三多晶硅电阻位于所述衬垫下方所覆盖范围之外；所述四块多晶硅电阻构成一具有两个支路的并联电路；所述并联电路的第一支路由所述位于所述衬垫下方所覆盖范围之内的第一多晶硅电阻和所述位于所述衬垫下方所覆盖范围之外的第二多晶硅电阻依次串联构成；所述并联电路的第二支路由所述位于所述衬垫下方所覆盖范围之外的第三多晶硅电阻和所述位于所述衬垫下方所覆盖范围之内的第四多晶硅电阻依次串联构成。
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