[发明专利]一种聚硅烷合成工艺无效
| 申请号： | 201210036272.8 | 申请日： | 2012-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN102558564A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 张学有;吴登魁;颜齐军 | 申请（专利权）人： | 张学生 |
| 主分类号： | C08G77/60 | 分类号： | C08G77/60 |
| 代理公司： | 徐州市三联专利事务所 32220 | 代理人： | 何君 |
| 地址： | 221000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种光电导、发光二极管、非线性光学材料、新型光记忆材料、新型复合材料，具体涉及一种聚硅烷合成工艺，属化工技术领域。该合成工艺以二氯甲基苯基硅烷为原材料，采用金属镁、路易斯酸和氯化锂做催化剂，无水四氢呋喃作溶剂，在室温下搅拌，即得高分子量，高收率成品。工艺简单可靠，易操作，危险性较低，产品收率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅烷 合成 工艺 | ||
【主权项】：
一种聚硅烷合成工艺，其特征是：该合成工艺以二氯甲基苯基硅烷为原材料，采用金属镁、路易斯酸和氯化锂做催化剂，无水四氢呋喃作溶剂，在室温下搅拌，即得高分子量，高收率成品。
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