[发明专利]高栅极密度器件和方法有效
| 申请号： | 201210036781.0 | 申请日： | 2012-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN103137624A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 谢铭峰;张长昀;陈欣志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有隔离部件的半导体器件。所述半导体器件包括多个设置在半导体衬底上的栅极结构、形成在所述多个栅极结构的各个侧壁上的多个电介质材料的侧壁间隔件、设置在所述半导体衬底和所述栅极结构上的层间电介质(ILD)、嵌入所述半导体衬底并延伸至所述ILD的隔离部件以及设置在所述隔离部件的延伸部的侧壁上的电介质材料的侧壁间隔件。本发明还公开了高栅极密度器件和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 密度 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，所述半导体器件包括：多个栅极结构，设置在半导体衬底上；多个电介质材料的栅极侧壁间隔件，形成在所述多个栅极结构的各个侧壁上；层间电介质(ILD)，设置在所述半导体衬底和所述栅极结构上；隔离部件，嵌入所述半导体衬底内并延伸至所述ILD；以及电介质材料的侧壁间隔件，设置在所述隔离部件的延伸部的侧壁上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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