[发明专利]发光装置结构有效
申请号: | 201210037085.1 | 申请日: | 2012-02-17 |
公开(公告)号: | CN102903811A | 公开(公告)日: | 2013-01-30 |
发明(设计)人: | 黄羽民;吴国祯;李君圣 | 申请(专利权)人: | 广镓光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/10 | 分类号: | H01L33/10 |
代理公司: | 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 | 代理人: | 刘云贵 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种发光装置,其特征在于包括一基底;一外延结构,设置于基底上,外延结构至少包括第一导电型半导体层、活性发光层和第二导电型半导体层;一第一电极,设置于第一导电型半导体层上;一透明导电层,位于第一电极和第一导电型半导体层间;以及一三维立体分布式布拉格反射层,位于所述透明导电层和所述第一导电型半导体层间。 | ||
搜索关键词: | 发光 装置 结构 | ||
【主权项】:
一种发光装置,其特征在于包括:一基底;一外延结构,设置于所述的基底上,所述外延结构至少包括第一导电型半导体层、活性发光层和第二导电型半导体层;一第一电极,设置于所述第一导电型半导体层上;一透明导电层,位于所述第一电极和所述第一导电型半导体层间;以及一三维立体分布式布拉格反射层,位于所述透明导电层和所述第一导电型半导体层间。
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