[发明专利]具有传感器的集成电路和制造这种集成电路的方法有效
| 申请号： | 201210037533.8 | 申请日： | 2012-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN102646644A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 罗埃尔·达门;罗伯特斯·沃特斯;雷内·荣根;尤里·波诺马廖夫 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L27/02;H01L23/522;H01L21/768;G01N27/22 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 公开了一种集成电路，包括：承载多个电路元件的衬底(10)；互连所述电路元件的金属化叠层(12，14，16)，所述金属化叠层包括包含第一金属部(20)的图案化上金属化层；覆盖金属化叠层的钝化叠层(24，26，28)；和传感器，包括位于钝化叠层上的传感材料(40)，所述传感器通过延伸穿过钝化叠层的通路(34)连接至第一金属部。还公开了制造这种IC的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 传感器 集成电路 制造 这种 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路，包括：承载多个电路元件的衬底(10)；互连所述电路元件的金属化叠层(12，14，16)，所述金属化叠层包括图案化上金属化层，所述图案化上金属化层包括第一金属部(20)；覆盖金属化叠层的钝化叠层(24，26，28)；和传感器，包括位于钝化叠层上的传感材料(40)，所述传感器通过延伸穿过钝化叠层的通路(34)连接至第一金属部。
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