[发明专利]一种精确测量WEE宽度的方法

摘要

本发明公开了一种精确测量WEE宽度的方法，包括如下步骤：首先，将光刻机挡板设置在需曝光使用的光刻对位标记上；然后，按照放置要求，将光刻对位标记依次曝光放置在晶片边缘；最后，经WEE后，根据WEE分界线和晶片边缘之间的WEE分界线外显影后不存在的图形曝光的布局数据和显影后保存的完整光刻对位标记个数及是否包含不完整光刻对位标记，计算WEE宽度，光刻对位标记数量采用进一法，不足一个完整光刻对位标记的按一个计算；本发明是采用在边缘曝光图形的方法来确认WEE的宽度，用于判断WEE宽度的图形在显微镜下可以观察到，且其尺寸远小于WEE的精度，保证了测试的准确性，另外，本发明的实施不受半导体生产线的条件限制，利用现有资源就可以测定WEE宽度。

主权项

一种精确测量WEE宽度的方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤1：将光刻机挡板设置在需曝光使用的光刻对位标记上；步骤2：将光刻对位标记依次曝光放置在晶片边缘，放置要求如下：1)光刻对位标记的放置位置至少为上下左右四个位置；2)各相邻光刻对位标记互相错开；3)各相邻光刻对位标记间的间距为0，即光刻机的步进距离为光刻对位标记尺寸；4)最外侧光刻对位标记距晶片边缘距离小于0.5毫米；步骤3：经WEE后，根据WEE分界线(1)和晶片边缘(3)之间的WEE分界线外显影后不存在的图形(2)曝光的布局数据和显影后保存的完整光刻对位标记个数及是否包含不完整光刻对位标记，计算WEE宽度，光刻对位标记数量采用进一法，不足一个完整光刻对位标记的按一个计算，具体计算公式为公式1和公式2：当WEE后，光刻对位标记均为完整图形时，计算公式如公式1：WEE宽度＝光刻对位标记宽度×WEE后完整光刻对位标记个数+光刻对位标记距离×光刻对位标记间距个数            1当WEE后，光刻对位标记包含不完整图形时，计算公式如公式2：WEE宽度＝光刻对位标记宽度×(WEE后完整光刻对位标记个数+1)+光刻对位标记距离×光刻对位标记间距个数            2