[发明专利]一种化学气相沉积制备钨的方法及其装置无效
申请号: | 201210040113.5 | 申请日: | 2012-02-22 |
公开(公告)号: | CN102534543A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 朱玉斌;郑逸锋;侯培岩;孙艳涛;侯占杰;田军强;黄芯颖;杨珺 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | C23C16/14 | 分类号: | C23C16/14;C23C16/455;C23C16/52 |
代理公司: | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人: | 顾勇华 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及化学气相沉积法制备钨的装置和方法,属于难熔金属加工技术领域。本发明采用六氯化钨固体为反应原料,通过基底自身电阻发热的热辐射使六氯化钨气化发生反应;在反应室的进气、出气端上下各有两个气口,在反应的不同阶段,通过控制气体进出气口的闭合,利用各气体的不同比重,来达到混合气体及排气的目的;通过控制气体的流量与通入时间来控制反应过程。采用本设备避免了Cl2的使用对环境造成的污染,简化了步骤,其制备而成的钨涂层经过后期简单处理便可制备成用于医疗设备中X射线准直及防辐射零件。 | ||
搜索关键词: | 一种 化学 沉积 制备 方法 及其 装置 | ||
【主权项】:
一种六氯化钨体系化学气相沉积钨的工艺方法,其特征是该方法具有以下步骤:A. 将一定量的六氯化钨以固体的形态置于基底的下端,六氯化钨所需量与反应量的质量比为5:1;B. 反应开始前,关闭进气端上方气口和出气端下方气口,从进气端下方气口将氩气以0.08m3/h的速度通入反应室10min,排出反应室内空气;关闭进气端下方气口及出气端上方气口,打开进气端上方气口及出气端下方气口,将氢气以400ml/min的速度通入反应室15分钟,用来排出氩气,并作爆鸣实验以验纯;关闭进气端上方气口及出气端下方气口,打开进气端下方气口及出气端上方气口,将氢气以200ml/min的速度从进气端下方气口通入,打开加热电源调节电压使基底温度达到某一恒定温度进行沉积,该恒定温度为700℃~900℃;沉积结束后,关闭加热电源,将氩气以0.08m3/h的速度从进气端下方气口通入反应室直至反应室降到室温;C. 沉积基底通过转动杆连接,在沉积过程中保持20r/min~60r/min的速度旋转,以保证基底各部分沉积均匀;D. 反应室下端装有气体搅拌器,在沉积的过程中启动,通过其搅拌使不同比重的六氯化钨气体和氢气混合均匀,有利于沉积的均匀性。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海大学,未经上海大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210040113.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:液晶电视支撑座固定结构
- 下一篇:一种铝合金表面防护涂层的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的