[发明专利]固态成像器件及其制造方法、电子设备和半导体器件无效
申请号: | 201210040619.6 | 申请日: | 2012-02-21 |
公开(公告)号: | CN102651377A | 公开(公告)日: | 2012-08-29 |
发明(设计)人: | 西泽贤一 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 曲莹 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本公开涉及固态成像器件、电子设备、半导体器件和固态成像器件的制造方法。所述固态成像器件包括:传感器元件,具有多个像素,每个像素具有光电转换部;和以面对面地层叠在传感器元件上的方式附接至传感器元件并且设置有衬垫电极的逻辑元件。在所述传感器元件和逻辑元件的层叠体中,在所述衬垫电极的面向所述传感器元件的顶面上方设置有衬垫开口,并且设置衬垫周缘防护环来围绕所述衬垫开口的侧部。所述衬垫周缘防护环通过在所述衬垫开口的侧部,以金属材料一体地填充至少与所述衬垫开口一样深的整个沟槽而形成。 | ||
搜索关键词: | 固态 成像 器件 及其 制造 方法 电子设备 半导体器件 | ||
【主权项】:
一种固态成像器件,包括:传感器元件,具有多个像素,每个像素包括光电转换部;和逻辑元件,具有衬垫电极,并以面对面地层叠在所述传感器元件上的方式附接至所述传感器元件,其中,在所述传感器元件和逻辑元件的层叠体中,在所述衬垫电极的面向所述传感器元件的顶面上方设置有衬垫开口,并且设置衬垫周缘防护环来围绕所述衬垫开口的侧部,并且所述衬垫周缘防护环通过在所述衬垫开口的侧部,以金属材料一体地填充至少与所述衬垫开口一样深的整个沟槽而形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的