[发明专利]粒子捕捉单元、该粒子捕捉单元的制造方法及基板处理装置有效
申请号: | 201210040852.4 | 申请日: | 2012-02-21 |
公开(公告)号: | CN102693908A | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
发明(设计)人: | 守屋刚;丰泉俊介;高广克之 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;F04D19/04 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李伟;舒艳君 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种粒子捕捉单元,能够防止排气效率降低。构成暴露于微粒(P)飞来的空间的微粒捕集单元(40)的第一捕集单元(40a)具备:由多个第一不锈钢(44a)构成的第一网状层(44)和由多个第二不锈钢(45a)构成的第二网状层(45),第一不锈钢(44a)的粗细小于第二不锈钢(45a)的粗细,第一网状层(44)中的第一不锈钢(44a)的配置密度高于第二网状层(45)中的第二不锈钢(45a)的配置密度,第二网状层(45)介于第一网状层(44)与微粒(P)飞来的空间之间,通过烧结使第一网状层(44)与第二网状层(45)固化而互相接合。 | ||
搜索关键词: | 粒子 捕捉 单元 制造 方法 处理 装置 | ||
【主权项】:
一种粒子捕捉单元,是暴露于粒子飞来的空间的粒子捕捉单元,其特征在于,至少具备由多个第一纤维状物构成的第一层和由多个第二纤维状物构成的第二层,所述第一纤维状物的粗细小于所述第二纤维状物的粗细,所述第一层中的所述第一纤维状物的配置密度高于所述第二层中的所述第二纤维状物的配置密度,所述第二层介于所述第一层与所述粒子飞来的空间之间,通过烧结使所述第一层与所述第二层固化而互相接合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造