[发明专利]水槽浸泡法恢复晶体硅极化组件的方法无效
| 申请号： | 201210041850.7 | 申请日： | 2012-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN102544232A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 姜猛;庞慧娟 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 王凌霄 |
| 地址： | 213031 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种水槽浸泡法恢复晶体硅极化组件的方法，将太阳能组件整体浸泡在导电溶液中，太阳能组件的引出线及端子不能浸泡在导电溶液中，需引出，将直流恒压源与太阳能组件的引出线连接，施加电压，施加的电压在1000V-1500V之间，对于N型太阳能电池组件，直流恒压源的负极与太阳能组件的引出线的正极连接，直流恒压源的正极与太阳能组件的边框连接；对于P型太阳能电池组件，直流恒压源的正极与太阳能组件的引出线的正极连接，直流恒压源的负极与太阳能组件的边框连接。本发明的有益效果是：通过太阳能组件整体浸泡在导电溶液槽中，增加组件整体导电性能并形成均匀等势体，加快极化组件的恢复，可提升80％的速率。 | ||
| 搜索关键词： | 水槽 浸泡 恢复 晶体 极化 组件 方法 | ||
【主权项】：
一种水槽浸泡法恢复晶体硅极化组件的方法，其特征是：将太阳能组件(1)整体浸泡在导电溶液(2)中，太阳能组件(1)的引出线及端子不能浸泡在导电溶液(2)中，需引出，将直流恒压源(3)与太阳能组件(1)的引出线连接，施加电压，施加的电压在1000V‑1500V之间，对于N型太阳能电池组件，直流恒压源(3)的负极与太阳能组件(1)的引出线的正极连接，直流恒压源(3)的正极与太阳能组件(1)的边框连接；对于P型太阳能电池组件，直流恒压源(3)的正极与太阳能组件(1)的引出线的正极连接，直流恒压源(3)的负极与太阳能组件(1)的边框连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州天合光能有限公司，未经常州天合光能有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210041850.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：抛物运动轨迹演示装置
- 下一篇：一种样品处理用的组合试管及样品处理方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
