[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201210041968.X | 申请日： | 2012-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN102646582A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 仓桥健一郎;小山英寿;尾上和之 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于，提供能够相对于绝缘膜的开口中心无偏差地形成场电极构造的半导体装置的制造方法。本申请的发明的半导体装置的制造方法的特征在于，具备：在半导体层的表面形成绝缘膜的工序；在该绝缘膜的表面形成具有开口的抗蚀剂的工序；使与该抗蚀剂进行交联反应的图案收缩剂附着在该抗蚀剂、在该抗蚀剂的内周形成硬化层的工序；以该抗蚀剂及该硬化层作为掩模蚀刻该绝缘膜的工序；除去该硬化层的工序；在该半导体层、该绝缘膜以及该抗蚀剂的表面形成金属层的工序；以及通过剥离法除去该抗蚀剂及该抗蚀剂的表面的该金属层的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：在半导体层的表面形成绝缘膜的工序；在所述绝缘膜的表面形成具有开口的抗蚀剂的工序；使与所述抗蚀剂进行交联反应的图案收缩剂附着在所述抗蚀剂、在所述抗蚀剂的内周形成硬化层的工序；以所述抗蚀剂及所述硬化层作为掩模蚀刻所述绝缘膜的工序；除去所述硬化层的工序；在所述半导体层、所述绝缘膜以及所述抗蚀剂的表面形成金属层的工序；以及通过剥离法除去所述抗蚀剂及所述抗蚀剂的表面的所述金属层的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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