[发明专利]一种异质结晶硅太阳电池钝化层的热处理方法有效
| 申请号： | 201210042844.3 | 申请日： | 2012-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN102544234A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 黄海宾;王巍;李媛媛;周浪;魏秀琴;周潘兵 | 申请（专利权）人： | 上海中智光纤通讯有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 黄志达;谢文凯 |
| 地址： | 201108 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种异质结晶硅太阳电池钝化层的热处理方法，包括：采用PECVD法或热丝CVD法制备异质结晶硅太阳电池钝化层薄膜，以PECVD法中产生的含氢等离子体的氢气气氛，对钝化层的硅片于200～300℃处理1min～60min；或者是以热丝CVD法产生的含氢原子的氢气气氛，对钝化层的硅片于200～300℃处理1min～60min。本发明可改善钝化层对硅片表面的钝化效果，从而提高太阳电池的转换效率，并且相比于常规的惰性气体气氛、氢气气氛或真空热处理工艺，可大大缩短热处理工艺时间，提高生产效率，具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结晶 太阳电池 钝化 热处理 方法 | ||
【主权项】：
一种异质结晶硅太阳电池钝化层的热处理方法，包括：采用PECVD法或热丝CVD法制备异质结晶硅太阳电池钝化层薄膜，以PECVD法中产生的含氢等离子体的氢气气氛，对钝化层的硅片于200～300℃处理1min～60min；或者是以热丝CVD法产生的含氢原子的氢气气氛，对钝化层的硅片于200～300℃处理1min～60min。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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