[发明专利]在基底表面上沉积纳米点阵的方法有效
| 申请号： | 201210042886.7 | 申请日： | 2012-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN102560384A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 马平;孙平;陈松林;蒲云体;朱基亮 | 申请（专利权）人： | 成都精密光学工程研究中心;四川大学 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 成都科海专利事务有限责任公司 51202 | 代理人： | 刘双兰 |
| 地址： | 610041 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种在基底表面上沉积纳米点阵的方法，属于纳米材料制备领域。该方法是将清洗好的基片放入溅射仪中，再将溅射靶材安装于溅射仪中；抽真空，控制溅射气压、溅射电流、溅射功率、以及控制溅射时间，即可在所述基片上沉积所需纳米点阵。本发明方法是根据薄膜的岛状生长模式，利用溅射仪在基片的表面上沉积纳米点阵；无需掩膜板、其制备工艺简单、制备快捷、可控性高；沉积的纳米点阵质量高；适用于纳米电子和纳米光电子领域；具有较大的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 表面上 沉积 纳米 点阵 方法 | ||
【主权项】：
一种利用溅射仪在基底表面上沉积纳米点阵的方法，其特征在于包括以下工艺步骤：(1)基片的清洗按甲苯、丙酮、酒精、去离子水的顺序，分别将基片超声振荡清洗干净，再将清洗干净的基片放入溅射仪中；(2)安装溅射靶材将需要溅射的靶材安装于溅射仪中，安装好后开始抽真空，当真空度达到2～10‑5Pa时，通入气氛；(3)调节好溅射参数，沉积纳米点阵；采用溅射仪，将溅射气压调节为0.1～6Pa，溅射功率调节为10‑20W，溅射电流调节为3～6mA；将溅射时间控制在2‑5秒；然后进行溅射，实现在基片表面上沉积纳米颗粒，即纳米点阵。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都精密光学工程研究中心;四川大学，未经成都精密光学工程研究中心;四川大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210042886.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
