[发明专利]一种评估功率VMOS管寿命以及可靠性的分析方法

摘要

一种评估功率VMOS管寿命以及可靠性的分析方法，该方法有四大步骤：步骤一、将功率VMOS管建模并且建立H桥仿真电路；步骤二、H桥电路的无故障仿真；步骤三、H桥电路阈值电压退化仿真；步骤四、综合分析得出实际应用中的结论。本发明将实际应用中极其常见的功率VMOS管H桥驱动电路进行仿真，分析主要是原因阈值电压退化漂移，并利用数学原理对功率VMOS管的各项参数进行分析计算，得出结论。其构思科学，方法新颖。它在功率半导体器件安全测试技术领域里具有较好的实用价值和良好的应用前景。

主权项

一种评估功率VMOS管寿命以及可靠性的分析方法，其特征在于：该方法具体步骤如下：步骤一、将功率VMOS管建模并且建立H桥仿真电路；具体实现过程是：步骤一.1：选取某一种型号的功率VMOS管并根据其数据手册datasheet中各项参数建模；步骤一.2：建立H桥仿真电路核心部分H桥；步骤一.3：添加外围器件得到具有使能控制和方向逻辑的H桥电路；步骤二、H桥电路的无故障仿真；具体实现过程是：步骤二.1：搭建三角波发生电路；步骤二.2：用三角波比较法产生PWM波形，调制的波形进行电平移位；步骤二.3：经过电平移位的PWM波接往高速光耦HCPL2601，实现隔离放大，再通过MOSFET驱动器mic4420对电平再进行放大，得到输出低电平为0，高电平为+12V的PWM波形，作为控制功率VMOS管的信号输入；步骤二.4：功率VMOS管组成半桥变换器，其后接负载；步骤三、H桥电路阈值电压退化仿真；具体实现过程是：步骤三.1：分析失效功率VMOS管的失效原因：栅极阈值电压漂移使得电流和功率存在不规则峰值，产生两桥臂VMOS管瞬态共同导通；步骤三.2：对H桥电路的瞬态共同导通故障进行仿真和分析，监测栅源电压，分析计算功率VMOS管参数的退化和可靠性寿命；步骤四、综合分析得出实际应用中的结论。