[发明专利]一种低应力中子转换薄膜元件及其制备方法有效
| 申请号： | 201210044966.6 | 申请日： | 2012-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN102602070A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 张众;梁玉;王占山 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | B32B9/04 | 分类号： | B32B9/04;B32B15/00;B32B17/00;C23C14/35;C23C14/06;C23C14/18 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 吴林松 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于精密光学元件制作技术领域，公开了一种低应力中子转换薄膜元件及其制备方法。该元件包括基底(1)和碳化硼/铬周期多层膜(2)，铬薄膜层(3)和碳化硼薄膜层(4)交替沉积于基底(1)表面上，铬薄膜层(3)和碳化硼薄膜层(4)的数目相同。制备方法如下：首先对基底(1)进行清洗，然后在基底(1)上镀制碳化硼/铬周期多层膜(2)。本发明的基于碳化硼/铬周期多层膜的低应力中子转换薄膜元件具有低应力、高制作效率、价格便宜、中子转换性能满足需求等优势，更适于实现此类产品的产业化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应力 中子 转换 薄膜 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低应力中子转换薄膜元件，其特征在于：该元件包括基底(1)和碳化硼/铬周期多层膜(2)，铬薄膜层(3)和碳化硼薄膜层(4)交替沉积于基底(1)表面上，铬薄膜层(3)和碳化硼薄膜层(4)的数目相同。
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