[发明专利]基于混合晶向SOI及沟道应力的器件系统结构及制备方法

摘要

本发明提供一种基于混合晶向SOI及沟道应力的器件系统结构及制备方法。根据本发明的制备方法，首先制备（100）/（110）全局混晶SOI结构；接着，在全局混晶SOI结构上依次外延弛豫的锗硅层和应变硅层后，再形成（110）外延图形窗口，并在（110）外延图形窗口处外延（110）硅层及非弛豫的锗硅层后，使图形化混晶SOI结构表面平坦化，接着再形成隔离器件的隔离结构，最后在（110）衬底部分制备P型高压器件结构、在（100）衬底部分制备N型高压器件结构和/或低压器件结构，由此可有效提高各器件的载流子迁移率，改善高压器件的Rdson，提高各器件性能，有利于进一步提高集成度、降低功耗。

主权项

一种基于混合晶向SOI及沟道应力的器件系统结构制备方法，其特征在于，所述基于混合晶向SOI及沟道应力的器件系统结构制备方法至少包括：1)制备(100)/(110)全局混晶SOI结构；2)在所述全局混晶SOI结构上依次外延弛豫的锗硅层和应变硅层；3)在具有弛豫的锗硅层和应变硅层的结构上形成(110)外延图形窗口；4)在所述(110)外延图形窗口处依次选择性外延生长(110)硅层及非弛豫的锗硅层，并使外延锗硅层后的图形化混晶SOI结构表面平坦化；5)在外延锗硅层后的图形化混晶SOI结构上形成隔离器件的隔离结构；6)在具有隔离结构的图形化混晶SOI结构的(110)衬底部分制备P型高压器件结构、在(100)衬底部分制备N型高压器件结构和/或低压器件结构，并去除N型高压器件结构的漂移区和漏区的锗硅和应变硅及P型高压器件结构的漂移区和漏区的锗硅。