[发明专利]一种多层纳米线结构的制造方法有效
| 申请号： | 201210046312.7 | 申请日： | 2012-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN103295878A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 王文博 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多层纳米线结构的制造方法，包括：a)提供第一硅基体，在所述第一硅基体上形成第一氧化物层；b)提供第二硅基体，对所述第二硅基体实施氢离子注入，以在所述第二硅基体中形成一定位标记；c)实施一智能切割工艺，以在所述第一硅基体上形成一绝缘体上硅结构；d)在所述绝缘体上硅结构上形成第二氧化物层；e)重复步骤b)-步骤d)，以在所述第一硅基体上形成多层绝缘体上硅结构；f)定义所述纳米线结构的图形；g)蚀刻所述多层绝缘体上硅结构，以在所述第一硅基体上形成所述多层纳米线结构；h)去除所述多层纳米线结构中的每条纳米线下方的所述第二氧化物层。根据本发明，可以使形成的所述纳米线之间的晶向不一致。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多层 纳米 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种多层纳米线结构的制造方法，包括：a)提供第一硅基体，在所述第一硅基体上形成第一氧化物层；b)提供第二硅基体，对所述第二硅基体实施氢离子注入，以在所述第二硅基体中形成一定位标记；c)实施一智能切割工艺，以在所述第一硅基体上形成一绝缘体上硅结构；d)在所述绝缘体上硅结构上形成第二氧化物层；e)重复步骤b)‑步骤d)，以在所述第一硅基体上形成多层绝缘体上硅结构；f)定义所述纳米线结构的图形；g)蚀刻所述多层绝缘体上硅结构，以在所述第一硅基体上形成所述多层纳米线结构；h)去除所述多层纳米线结构中的每条纳米线下方的所述第二氧化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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