[发明专利]半导体装置以及用于制造半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201210046433.1 | 申请日： | 2012-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN102651395A | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | 多木俊裕 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;吴鹏章 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置以及用于制造半导体装置的方法，所述半导体装置包括：衬底、形成在衬底上方并且包含氮化物半导体的半导体层、形成在半导体层上方并且包含金的电极、形成在电极上方的阻挡膜以及形成在半导体层上方并且包含氧化硅膜、氮化硅膜以及氮氧化硅膜中的保护膜。保护膜形成在阻挡膜上。阻挡膜包含金属氧化物材料、金属氮化物膜或金属氧氮化物膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于包括：衬底；半导体层，所述半导体层形成在所述衬底上方并且包含氮化物半导体；电极，所述电极形成在所述半导体层上方并且包含金；阻挡膜，所述阻挡膜形成在所述电极上方；和保护膜，所述保护膜形成在所述半导体层上方并且包含氧化硅膜、氮化硅膜和氮氧化硅膜中的一种；其中所述保护膜形成在所述阻挡膜上；其中所述阻挡膜包含金属氧化物材料、金属氮化物膜或金属氧氮化物膜。
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