[发明专利]一种生产多晶硅和有机硅用工业硅的方法无效
申请号: | 201210046541.9 | 申请日: | 2012-02-28 |
公开(公告)号: | CN102583388A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 翟忠标;李永佳;包崇军;陈加希;和晓才;李怀仁;杨大锦;刘俊场;徐庆鑫;陈家辉 | 申请(专利权)人: | 昆明冶金研究院 |
主分类号: | C01B33/037 | 分类号: | C01B33/037 |
代理公司: | 昆明正原专利代理有限责任公司 53100 | 代理人: | 陈左 |
地址: | 650031 云*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | 本发明公开一种生产多晶硅和有机硅用工业硅的方法,质量较差的冶金级硅磨细至100目至400目,在磁场强度3000奥斯特至18000奥斯特进行湿式磁选,通过磁选的方法除去硅粉中的磁性杂质,然后结合超声波洗涤,依次在盐酸溶液、王水溶液和氢氟酸溶液中浸泡洗涤,经酸洗之后的硅粉,经洗涤干燥后,其纯度达到多晶硅和有机硅用工业硅的要求。 | ||
搜索关键词: | 一种 生产 多晶 有机硅 用工 方法 | ||
【主权项】:
一种生产多晶硅和有机硅用工业硅的方法,以冶金级硅为原料,其特征在于包括如下步骤:(1)将冶金级硅磨细;(2)将磨细的硅粉与水制成浆料,经过弱磁场磁选机初步选出强磁性硅粉物料;(3)经过弱磁场磁选机预处理后的硅粉物料,采用强磁场磁选机分离出有效脱除弱磁性物料的硅粉;(4)将上一步骤分离出的硅粉在盐酸溶液中结合超声波浸泡洗涤1‑8小时,过滤,清水洗涤;(5)将上一步骤清水洗涤后的硅粉在王水溶液中结合超声波浸泡洗涤1‑8小时,过滤,清水洗涤;(6)将上一步骤清水洗涤后的硅粉在氢氟酸溶液中结合超声波浸泡洗涤1‑8小时,过滤,清水洗涤后,干燥得到纯度大于99.9%的硅粉。
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