[发明专利]一种纳米尺寸阻变存储器小孔的制备方法无效
| 申请号： | 201210046570.5 | 申请日： | 2012-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN102610751A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 黄如;杨庚雨;孙帅;谭胜虎;张丽杰;黄英龙;张耀凯;唐昱;潘越;蔡一茂;毛俊 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 张肖琪 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米尺寸阻变忆阻器小孔的制备方法。本发明的制备方法利用牺牲层腐蚀法来制备纳米尺寸阻变忆阻器的小孔，小孔的方向可以是垂直的，可以是水平的，也可以是任何其他方向。本发明所提供的制备方法可以用来制备任何形状的小孔，最小精度可以达到20nm。本发明的制备方法精度高、工艺简单、成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 尺寸 存储器 小孔 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米尺寸阻变忆阻器小孔的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在需要制备小孔的衬底上淀积牺牲层；2)涂光刻胶；3)进行光刻，定义出牺牲层的图形；4)干法刻蚀牺牲层；5)去除光刻胶，将光刻胶上的图形转移到牺牲层上；6)淀积需要制备小孔的材料层；7)化学机械抛光，抛光停止点以牺牲层的图形顶端为准；8)湿法腐蚀牺牲层，得到所需制备的小孔。
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