[发明专利]功率变换装置、半导体装置及功率变换装置的制造方法有效
| 申请号： | 201210046858.2 | 申请日： | 2012-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN102810526A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 下池正一郎;吉见太佑 | 申请（专利权）人： | 株式会社安川电机 |
| 主分类号： | H01L23/50 | 分类号： | H01L23/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及功率变换装置、半导体装置及功率变换装置的制造方法。该功率变换装置包括第一基板、第二基板、功率变换元件和壳体部。壳体部包括第一连接端子和第二连接端子，第一连接端子连接到设置在第一基板的更接近功率变换元件的一侧的第一导电图案，并且第二连接端子连接到设置在第二基板的与功率变换元件相反的一侧的第二导电图案。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 变换 装置 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种功率变换装置，该功率变换装置包括：第一基板；第二基板，其与所述第一基板相对地设置；功率变换元件，其安装在所述第一基板与所述第二基板之间；以及壳体部，其被设置为包围所述第一基板和所述第二基板，其中所述壳体部包括第一连接端子和第二连接端子，所述第一连接端子连接到设置在所述第一基板的更接近所述功率变换元件的一侧的第一导电图案，所述第二连接端子连接到设置在所述第二基板的与所述功率变换元件相反的一侧的第二导电图案。
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