[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201210046998.X | 申请日： | 2012-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN102651353A | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | 岩根知彦 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 毛立群;李家麟 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体装置具有：带状基材；配线图形；半导体元件，与配线图形进行了电连接；顶面侧绝缘保护膜，覆盖带状基材的顶面，且在带状基材顶面上的与半导体元件对向的对向区域中具有顶面侧开口部；底面侧绝缘保护膜，覆盖带状基材的底面，且在位于顶面侧开口部背侧的部分中具有底面侧开口部。顶面侧绝缘保护膜具有突出开口部，该突出开口部向所述对向区域的外侧突出。底面侧开口部的开口尺寸为，位于带状基材顶面上的与半导体元件对向区域的尺寸的1.00倍～8.50倍。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，为带载型半导体装置，在该半导体装置中，半导体元件(108)以与在带状基材(102)的顶面所形成的配线图形(104)进行电连接的状态，被封装在所述带状基材(102)的顶面上，该半导体装置的特征在于：具有顶面侧绝缘保护膜(106)，覆盖所述带状基材(102)的顶面；以及底面侧绝缘保护膜(112)，覆盖所述带状基材(102)的底面；在所述顶面侧绝缘保护膜(106)中，设置有顶面侧开口部(106a)，该顶面侧开口部(106a)在所述带状基材(102)的顶面上，且在与所述半导体元件(108)对向的对向区域的至少一部分区域开口；在所述顶面侧绝缘保护膜(106)中，还设置有突出开口部(106b)，该突出开口部(106b)向与所述半导体元件(108)对向的所述对向区域的外侧突出；在所述底面侧绝缘保护膜(112)中，设置有底面侧开口部(112a)，该底面侧开口部(112a)在位于所述顶面侧开口部(106a)背面侧的部分开口；所述底面侧开口部(112a)的开口尺寸为，位于所述带状基材(102)顶面上的所述对向区域的尺寸的1.00倍～8.50倍；所述半导体元件(108)与所述对向区域之间填充有填充剂(110)。
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