[发明专利]一种YAB晶体生长助熔剂及YAB晶体生长方法有效

专利信息
申请号: 201210047053.X 申请日: 2012-02-27
公开(公告)号: CN103290466A 公开(公告)日: 2013-09-11
发明(设计)人: 胡章贵;岳银超;余雪松;毛倩;吴振雄 申请(专利权)人: 中国科学院理化技术研究所
主分类号: C30B9/12 分类号: C30B9/12;C30B29/10
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 王朋飞;张庆敏
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种YAB晶体生长助溶剂及YAB晶体生长方法,本发明的YAB晶体生长助溶剂为Al2O3-硼化物-锂化物-金属氟化物混合体系;其中,Al2O3∶硼化物∶锂化物∶金属氟化物的摩尔比为(5~8)∶(2~4)∶(0.5~2)∶(0.5~1.5);所述硼化物为B2O3或H3BO3;所述锂化物为Li2O或Li2CO3;所述金属氟化物包括一价金属氟化物和二价金属氟化物。通过本发明的YAB晶体生长助溶剂及YAB晶体生长方法可有效提高晶体生长过程中的晶体稳定性,获得大尺寸晶体。
搜索关键词: 一种 yab 晶体生长 熔剂 方法
【主权项】:
一种YAB晶体生长助熔剂,其特征在于,所述助熔剂为Al2O3‑硼化物‑锂化物‑金属氟化物混合体系;其中,Al2O3∶硼化物∶锂化物∶金属氟化物的摩尔比为(5~8)∶(2~4)∶(0.5~2)∶(0.5~1.5)。
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