[发明专利]一种YAB晶体生长助熔剂及YAB晶体生长方法有效
申请号: | 201210047053.X | 申请日: | 2012-02-27 |
公开(公告)号: | CN103290466A | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | 胡章贵;岳银超;余雪松;毛倩;吴振雄 | 申请(专利权)人: | 中国科学院理化技术研究所 |
主分类号: | C30B9/12 | 分类号: | C30B9/12;C30B29/10 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王朋飞;张庆敏 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种YAB晶体生长助溶剂及YAB晶体生长方法,本发明的YAB晶体生长助溶剂为Al2O3-硼化物-锂化物-金属氟化物混合体系;其中,Al2O3∶硼化物∶锂化物∶金属氟化物的摩尔比为(5~8)∶(2~4)∶(0.5~2)∶(0.5~1.5);所述硼化物为B2O3或H3BO3;所述锂化物为Li2O或Li2CO3;所述金属氟化物包括一价金属氟化物和二价金属氟化物。通过本发明的YAB晶体生长助溶剂及YAB晶体生长方法可有效提高晶体生长过程中的晶体稳定性,获得大尺寸晶体。 | ||
搜索关键词: | 一种 yab 晶体生长 熔剂 方法 | ||
【主权项】:
一种YAB晶体生长助熔剂,其特征在于,所述助熔剂为Al2O3‑硼化物‑锂化物‑金属氟化物混合体系;其中,Al2O3∶硼化物∶锂化物∶金属氟化物的摩尔比为(5~8)∶(2~4)∶(0.5~2)∶(0.5~1.5)。
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