[发明专利]一种增加浅沟槽隔离压应力提高NMOS电子迁移率的方法有效
| 申请号： | 201210047378.8 | 申请日： | 2012-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN102543760A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 金秋敏;刘格致;黄晓橹 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种增加浅沟槽隔离压应力提高NMOS电子迁移率的方法，其中，包括:在衬底上依次形成氧化物层和第一氮化物层；在所述第一氮化物层上旋涂光刻胶，对所述第一氮化物层、所述氧化层以及所述衬底进行光刻，形成浅沟槽，并去除光刻胶;在所述浅沟槽的表面生长一层第二氮化物层；对所述浅沟槽进行快速热退火工艺；刻蚀所述第二氮化硅层，去除光刻胶；在所述浅沟槽表面生长一层垫氧化层；在所述垫氧化层表面生长一层第三氮化物层；在所述浅沟槽中填充绝缘介质，同时，所述绝缘介质覆盖在所述衬底表面；对所述浅沟槽进行高温退火工艺。在STI中引入内部压应力，并使得该压应力传导到器件沟道中转换为沟道的拉应力，从而提高NMOS器件中电子迁移率，提高NMOS器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增加 沟槽 隔离 应力 提高 nmos 电子 迁移率 方法 | ||
【主权项】：
一种增加浅沟槽隔离压应力提高NMOS电子迁移率的方法，包括：在衬底上依次形成氧化物层和第一氮化物层；在所述第一氮化物层上旋涂光刻胶，对所述第一氮化物层、所述氧化层以及所述衬底进行光刻，形成浅沟槽，并去除光刻胶；其特征在于，还包括以下步骤：步骤1：在所述浅沟槽的表面生长一层第二氮化物层；步骤2：对所述浅沟槽进行快速热退火工艺；步骤3：刻蚀所述第二氮化硅层，去除光刻胶；步骤4：在所述浅沟槽表面生长一层垫氧化层；步骤5：在所述垫氧化层表面生长一层第三氮化物层；步骤6：在所述浅沟槽中填充绝缘介质，同时，所述绝缘介质覆盖在所述衬底表面；步骤7：对所述浅沟槽进行高温退火工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
