[发明专利]一种p型透明导电掺锂氧化镍薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201210047506.9 | 申请日： | 2012-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN102560361A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 黄延伟;席俊华;季振国 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/24 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 杜军 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种p型透明导电掺锂氧化镍薄膜及其制备方法。本发明首先采用化学纯氧化镍和碳酸锂的混合粉末，经过研磨、压片、固相反应、烧结过程制备出LixNi1-xO陶瓷靶材；然后以普通玻璃为基板，利用LixNi1-xO陶瓷靶，通过电子束蒸发镀膜系统，在适当的电子束流、蒸发高压、蒸发压强、蒸发时间以及后退火处理温度的条件下制备了具有p型透明导电的LixNi1-xO薄膜。所制备的薄膜具有高电导率、可见光范围内相对较高的透射率等优良光电特性。本发明方法获得的p型透明导电氧化物薄膜在透明电子学领域具有较好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 透明 导电 氧化 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种p型透明导电掺锂氧化镍薄膜，其特征在于：该掺锂氧化镍薄膜材料为LixNi1‑xO，x = 0.01～0.30，由电子束蒸发镀膜技术制备获得，其中薄膜厚度为50～500 nm，最高电导率达到9.4 S·cm‑1，可见光区域的平均透射率高于60%。
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