[发明专利]一种集成电路金属互连结构及其制备方法无效
| 申请号： | 201210048477.8 | 申请日： | 2012-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN102593098A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 魏芹芹;尹金泽;曹宇;崔晓锐;魏子钧;赵华波;傅云义;黄如;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成电路金属互连结构及其制备方法。本发明利用石墨烯本身独特的分子结构和电学特性，在集成电路金属互连结构的上层金属连线上表面包覆石墨烯覆盖层。由于石墨烯的抗电迁移电流密度可以达到109A/cm2，在金属导线内一旦由于电迁移出现小空洞的时候，电流就有可能通过包覆在金属导线表面的石墨烯来传导，从而有效降低金属互连线中空洞的生长速率，提高金属互连线的抗电迁移能力及其寿命，同时包覆在金属互连线表面的石墨烯也可以有效阻止晶须的生长，从而降低因晶须生长而导致短路的风险；另外，此石墨烯覆盖层可有效隔绝金属导线与空气接触，减缓或消除金属互连线表面的氧化，从而提高集成电路互连线的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 金属 互连 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路金属互连结构，包括上、下层金属互连线以及连接上下层金属互连线的通孔，其特征在于，在上层金属互连线的表面覆盖单层或多层石墨烯。
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