[发明专利]OLED器件、AMOLED器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210048814.3 | 申请日： | 2012-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN102651455A | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | 李延钊;王刚;李禹奉;张立 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/54;H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种OLED器件、AMOLED器件及其制造方法，属于照明器件及显示器件制造领域，用以扩大OLED器件电极功函数的调节范围，提高OLED器件的发光效率；减少AMOLED器件的制造工艺，降低生产成本。其中AMOLED器件包括，TFT有源层、像素电极层及OLED器件，所述OLED器件包括阴极层和功能层，所述像素电极层作为所述OLED器件的阳极层；或者，所述OLED器件包括阳极层和功能层，所述像素电极层作为所述OLED器件的阴极层；且所述TFT有源层、像素电极层由同一层IGZO薄膜经过构图工艺形成的。本发明实施例适用于照明器件及显示器件制造。 | ||
| 搜索关键词： | oled 器件 amoled 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种OLED器件，包括阳极层、功能层和阴极层，其特征在于，所述阴极层和/或所述阳极层由氧化物半导体铟镓锌氧IGZO材料制成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
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H01L51-54 .. 材料选择
