[发明专利]一种双层ITO 布线结构无效
| 申请号： | 201210048991.1 | 申请日： | 2012-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN102622151A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 张开立 | 申请（专利权）人： | 苏州瀚瑞微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/044 | 分类号： | G06F3/044 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215163 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双层ITO布线结构，所述每层ITO上分别设有第一种触控电极和第二种触控电极，所述第一种触控电极的形状由两个等幅度、等宽度、方向相反的矩形波对称排列组成，且其中间形成第一空隙；所述第二种触控电极的形状由两个等幅度、等宽度、方向相反的矩形波对称封闭连接组成，且其中间形成第二空隙，所述第二种触控电极最边缘的矩形波波谷的宽度是所述矩形波波峰宽度的一半。通过上述方式，本发明使ITO层上电极的分布更加紧密，显著提高了ITO层的侦测灵敏度和线性度，有效降低了电源噪声干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双层 ito 布线 结构 | ||
【主权项】：
一种双层ITO布线结构，所述每层ITO上分别设有第一种触控电极和第二种触控电极，其特征在于，所述第一种触控电极的形状由两个等幅度、等宽度、方向相反的矩形波对称排列组成，且其中间形成第一空隙；所述第二种触控电极的形状由两个等幅度、等宽度、方向相反的矩形波对称封闭连接组成，且其中间形成第二空隙，所述第二种触控电极最边缘的矩形波波谷的宽度是所述矩形波波峰宽度的一半。
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