[发明专利]一种生长晶体材料时的温度引导装置及其方法有效
| 申请号： | 201210049146.6 | 申请日： | 2012-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN103290485B | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 刘朝轩 | 申请（专利权）人： | 洛阳金诺机械工程有限公司 |
| 主分类号： | C30B35/00 | 分类号： | C30B35/00;C30B11/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 471009 河南省*** | 国省代码： | 河南;41 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种生长晶体材料时的温度引导装置及其方法，涉及一种晶体材料生长设备的辅助温控装置，在炉室(21)内坩埚(6)的上端设有上盖(23)，上盖的下部与坩埚的上端之间设有导热通路；所述发热体(22)分别连接电源的正负极，发热体对坩埚辐射加热，同步也对坩埚上部的晶体材料(7)加热，同时由上盖的上盖外沿(2)形成发热体上端热能向坩埚的上部聚拢，由坩埚与上盖之间的导热通路引导热能向坩埚内晶体材料上部的加热，坩埚内晶体材料上部的温度获取高于坩埚内下部的晶体材料温度；本发明由上盖形成发热体热能向坩埚内晶体材料的上部聚拢，使上部的晶体材料获取较快的温度上升，实现了温度引导和最大化利用热能的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 晶体 材料 温度 引导 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种生长晶体材料时的温度引导装置，包括炉室(21)、发热体(22)、坩埚(6)、冷却介质降温机构和导热通路，其特征是：在炉室(21)内设有坩埚(6)，坩埚(6)的外部设有发热体(22)，所述发热体(22)处于炉室(21)内，坩埚(6)的下部设有冷却介质降温机构，在坩埚(6)的上端设有上盖(23)，上盖(23)的下部与坩埚(6)的上端之间设有导热通路，由上盖(23)形成发热体(22)热能向坩埚(6)上部的聚拢，由导热通路引导热能向坩埚(6)内晶体材料(7)上部的加热，获取坩埚(6)内晶体材料(7)上部的温度高于坩埚(6)内下部的晶体材料(7)，所述导热通路为上盖(23)的下部设有复数个支腿(3)，所述支腿(3)下端放置在坩埚(6)上部或盖环(5)上部或套筒(8)上部，由支腿(3)与支腿(3)之间的豁口(4)形成导热通路。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于洛阳金诺机械工程有限公司，未经洛阳金诺机械工程有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210049146.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
