[发明专利]一种量子点接触的制备方法无效
申请号: | 201210050252.6 | 申请日: | 2012-02-29 |
公开(公告)号: | CN102543731A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 李润伟;朱小健;尚杰 | 申请(专利权)人: | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
主分类号: | H01L21/335 | 分类号: | H01L21/335;H01L21/28 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 陈英俊 |
地址: | 315201 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种的量子点接触的制备方法,该方法基于由电极一、中间层以及电极二构成的“三明治”的结构单元,其中电极一与电极二分别由导电材料构成,中间层由绝缘性介质材料构成;电极一形成导电区域一,电极二与中间层构成导电区域二;采用在电极一与电极二两端施加电压的方式,使导电区域二中的带电离子和/或空位向电极一侧移动,形成导电通道,通过控制施加电压的大小,调整导电通道电导G为量子化电导G0的整数倍,即实现导电区域一与导电区域二之间的量子点接触。与现有技术相比,本发明的制备方法简单、易控、控制精确度高,选用不同材料的电极和中间层,能够制备出不同材料体系的量子点接触,是一种具有良好应用潜力的制备方法。 | ||
搜索关键词: | 一种 量子 点接触 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种量子点接触的制备方法,其特征是:采用第一电极、第二电极,以及位于第一电极与第二电极之间、并且与第一电极与第二电极相接触的中间层,所述的第一电极与第二电极分别由导电性材料构成,所述的中间层由绝缘性介质材料构成;所述的第一电极形成导电区域一,第二电极与中间层形成导电区域二;在所述的第一电极与第二电极两端施加电压,在电场驱动下使导电区域二中的离子和/或空位移动至导电区域一,与导电区域一之间形成导电通道;通过调整电压幅值,使所述的导电通道的电导G达到NG0,其中N为自然数,G0为量子化电导,即实现了导电区域一与导电区域二之间的量子点接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造