[发明专利]无氮介电抗反射薄膜的制作方法无效
| 申请号： | 201210050770.8 | 申请日： | 2012-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN102543715A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 陈建维;张旭升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种无氮介电抗反射薄膜的制作方法，包括：将反应气体通入排气管道直至稳定，将反应气体通入反应腔中，再开启电浆；或先开启电浆，再将反应气体通入反应腔中，利用通入反应气体和开启电浆之间有时间延迟，完成无氮介电抗反射薄膜的沉积，最后先关闭反应气体，再关闭电浆。本发明可有效控制无氮介电抗反射薄膜的反射率及消光系数，并得到较直的光阻形状及大大消除光阻驻波效应及光阻中毒效应。 | ||
| 搜索关键词： | 无氮介 电抗 反射 薄膜 制作方法 | ||
【主权项】：
一种无氮介电抗反射薄膜的制作方法，其特征在于，包括：将反应气体通入排气管道直至稳定；将反应气体通入反应腔中，开启电浆，其中，通入反应气体和开启电浆之间有时间延迟；进行无氮介电抗反射薄膜的沉积；关闭反应气体；关闭电浆。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
