[发明专利]一种纳米级超材料微结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201210050814.7 | 申请日： | 2012-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN103288042A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 刘若鹏;赵治亚;金曦;熊晓磊 | 申请（专利权）人： | 深圳光启创新技术有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518034 广东省深圳市福田*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种纳米级超材料微结构及其制备方法，将金属薄膜覆在涂有粘结剂的基板上，烘干并保持干燥；在金属薄膜表面涂抹一层光刻胶；将具有纳米级线宽图形的掩膜板对准光刻胶，用紫外线光对光刻胶进行曝光，然后去除未曝光的光刻胶；再通过腐蚀液去掉微结构以外的金属薄膜，从而在基板上获得纳米级线宽的微结构；本发明是把利用聚焦离子束技术制备的具有纳米级图形的基材作为掩膜板，再利用刻蚀技术大规模的制备具有纳米级微结构的超材料，成本低、工艺简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 材料 微结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米级超材料微结构的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：a、将金属薄膜覆在涂有粘结剂的基板上，烘干并保持干燥；b、在金属薄膜表面涂抹一层光刻胶；c、将具有纳米级线宽图形的掩膜板对准光刻胶，用紫外线光对光刻胶进行曝光，然后去除未曝光的光刻胶；d、再通过腐蚀液去掉微结构以外的金属薄膜，从而在基板上获得纳米级线宽的微结构。
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