[发明专利]用于在处理晶片中形成隔离装置的系统及方法无效
| 申请号： | 201210050825.5 | 申请日： | 2012-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN102779778A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | I-S·孙;R·C·杰罗姆;F·希伯特 | 申请（专利权）人： | 英特赛尔美国股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 邢德杰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于活性硅通孔集成的方法。所述方法包括在处理晶片中形成电气装置。所述方法还包括在处理晶片及电气装置上形成隔离层，以及将有源层结合至隔离层。此外，所述方法包括形成通过有源层及隔离层的至少一个沟道以暴露处理晶片的部分，以及在至少一个沟道中沉积导电材料，该导电材料通过有源层提供对电气装置的电气连接。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 处理 晶片 形成 隔离 装置 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种用于在处理晶片中形成电气装置的方法，所述方法包括：在处理晶片中形成半导体装置；在所述处理晶片及所述半导体装置上形成隔离层；将电路晶片结合至所述隔离层；形成通过所述电路晶片及所述隔离层的至少一个沟道以暴露所述处理晶片的部分；及在所述至少一个沟道中沉积导电材料，所述导电材料通过所述电路晶片提供对所述电气装置的电气连接。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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