[发明专利]具有多生长腔的生长碳化硅单晶的坩埚有效
| 申请号： | 201210050830.6 | 申请日： | 2012-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN103290476A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 忻隽;孔海宽;严成峰;刘熙;肖兵;杨建华;施尔畏 | 申请（专利权）人： | 上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B35/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 郭辉 |
| 地址： | 201800 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于晶体生长技术领域，涉及一种用于物理气相输运技术生长碳化硅单晶的坩埚结构，具体涉及具有多生长腔的生长碳化硅单晶的坩埚。本发明中坩埚的料腔结构采用多生长区统一料腔设计。本发明具有以下特点：采用多生长区、统一料腔设计。在本发明中，同一生长周期可以同时生长多个碳化硅单晶体。采用本发明的坩埚设计来生长碳化硅单晶，可以有效提高生长效率、节约生长时间、压缩晶体成本。与传统方法相比较，同样的设备配置前提下，将单晶生长效率提高2～3倍。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 生长 碳化硅 坩埚 | ||
【主权项】：
一种基于物理气相输运技术生长碳化硅单晶的坩埚，其特征在于，所述坩埚是多生长腔结构。
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