[发明专利]电力用半导体装置有效
| 申请号： | 201210051614.3 | 申请日： | 2012-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN102694028A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 大田浩史;角保人;木村淑;铃木纯二;入船裕行 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/36 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 张丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 实施方式的电力用半导体装置具备：第1导电型的第1半导体层(1)；设置于其上的第1导电型的第2半导体层(3)；设置于第2半导体层中的多个柱状的第2导电型的第3半导体层(4)；设置于第3半导体层的上端部的多个岛状的第2导电型的第4半导体层(5)；多个第1导电型的第5半导体层(6)；多个第2导电型的第6半导体层(8)；栅电极(11)；层间绝缘膜(12)；第1电极(13)以及第2电极(14)。第5半导体层设置于第4半导体层的表面。第6半导体层将相邻的两个第4半导体层相互连接起来。第1电极与第1半导体层连接。第2电极通过层间绝缘膜与栅电极绝缘，且经由栅电极的开口部与第4半导体层以及第5半导体层连接。 | ||
| 搜索关键词： | 电力 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种电力用半导体装置，其特征在于，具备：第1导电型的第1半导体层，具有第1主面；第2半导体层，设置于所述第1半导体层的第1主面上，比所述第1半导体层的第1导电型的杂质浓度低；相互分离的多个柱状的第2导电型的第3半导体层，在所述第2半导体层中从所述第2半导体层的与所述第1半导体层相反侧的表面向所述第1半导体层延伸；多个岛状的第2导电型的第4半导体层，设置于多个所述第3半导体层各自的上端，具有比所述第3半导体层的第2导电型杂质浓度高的第2导电型杂质浓度；多个第1导电型的第5半导体层，分别选择性地设置于所述第4半导体层的表面，具有比所述第2半导体层的所述第1导电型的杂质浓度高的杂质浓度；第2导电型的多个第6半导体层，与多个所述第4半导体层中的、相邻的两个第4半导体层相互电连接，并且具有比所述第4半导体层的所述第2导电型的杂质浓度低的第2导电型杂质浓度；栅电极，在所述第2半导体层、多个所述第6半导体层、多个所述第4半导体层以及多个所述第5半导体层之上隔着栅极绝缘膜设置、且在多个所述第4半导体层以及多个所述第5半导体层之上具有多个开口部；层间绝缘膜，从上方覆盖所述栅电极；第1电极，与所述第1半导体层的与第1主面相反侧的第2主面电连接；以及第2电极，通过所述层间绝缘膜与所述栅电极绝缘，并经由所述栅电极的所述开口部与多个所述第4半导体层以及多个所述第5半导体层电连接。
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